ساخت لایه نازک آلومینیوم نیترید ain به روش hvpe و مشخصه یابی آن

نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan، inn و aln است. فرم تغییر یافته ای از روش hvpe، جهت رشد لایه نازک aln در این تحقیق به کار برده شد. آلومینیوم تری کلراید و آمونیاک مواد لازم برای تولید aln هستند. آلومینیوم تری کلراید با واکنش مستقیم گاز کلر و فلز آلومینیوم در ناحیه چشمه در دمای 500 درجه سانتیگراد تولید می شود. گاز آلومینیوم تری کلراید تولید شده به ناحیه ترکیب منتقل می شود و در آنجا با آمونیاک واکنش می دهد تا aln تشکیل شود. بستر ها در ناحیه ترکیب قرار می گیرند. و در صورتی که شرایط رشد مناسب باشد، لایه نازک aln روی بستر رشد می یابد. لایه نشانی در محیط گاز نیتروژن در فشار محیط و دمای 1100 درجه سانتیگراد انجام می شود.